As propriedades operacionais elétricas e térmicas dos dispositivos semicondutores de potência baseados no carbeto de silício (SiC) são indiscutivelmente superiores às de seus similares construídos com  tecnologia do silício (Si). Além de apresentarem maiores tensões de bloqueio e menores perdas por condução e chaveamento, dispositivos SiC têm habilidade de operar em temperaturas muito superiores. 

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Simulações computacionais sempre colaboram com o processo de desenvolvimento de aplicações em eletrônica de potência, compreendendo o conceito funcional, especificação e seleção de componentes, projeto mecânico, testes e validações, tanto em condições normais quanto sob falhas. 

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